再有芯片堆叠专利曝光，7纳米国产5G芯片稳了

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日前国内知名科技企业再次公布了一份芯片堆叠专利，与该企业计划发布5G手机的消息结合，就让人想到很可能是该企业以芯片堆叠技术实现7纳米性能，确保5G基带芯片的推出。

由于众所周知的原因，该企业从2020年9月15日开始就无法找到芯片代工厂为它生产5G芯片，直至今天仍然未有确定的消息指谁会为它代工芯片，不过普遍认为国产的14纳米工艺是有很大机会为它代工芯片的。

如今的5G手机普遍已用到4纳米工艺，如果继续用14纳米工艺生产芯片，那么功耗将偏高、性能也不足够，而以芯片堆叠技术提升芯片性能至接近7纳米可以在一定程度上满足消费者对手机性能的要求。

传闻的消息指出该企业的5G手机很可能是采用高通的定制4G芯片，然后加上它自研并由国产芯片代工企业生产的5G基带芯片支持5G功能，从而实现5G手机的回归。

如此一来将可以完美解决技术问题，高通的芯片提供足够的性能，而国产的14纳米工艺加芯片堆叠技术则让5G基带芯片基本能满足要求，毕竟5G基带芯片的性能要求不会太高，借助该公司在5G技术方面的领先优势应该能解决这些技术问题。

对于国产芯片来说，芯片堆叠技术实现商用将具有极为重要的意义，由于众所周知的原因国产芯片制造工艺目前只是商用了14纳米工艺，至于接近7纳米的N+1工艺一直受制于光刻机、光刻胶等芯片设备和材料，实现国产化需要依赖国产芯片产业链的进展。

如果以14纳米工艺加上芯片堆叠技术可以实现接近7纳米的性能，那么对于服务器芯片、PC处理器等行业将具有更为积极的意义，这些芯片的对功耗的要求更宽松一些，毕竟他们可以通过散热风扇散热，解决14纳米工艺导致的功耗过高的问题。

中国制造对芯片的需求非常丰富，业界人士认为28纳米工艺已能满足国内七成的芯片需求，如果国产芯片能达到接近7纳米工艺的性能，那么更能满足国产芯片近九成的需求，这将进一步加速国产芯片的自给率，到2025年实现七成芯片自给率将有更大希望。

从两年多前出现第一个芯片堆叠专利，到如今已有段时间了，芯片堆叠技术确实也到了该商用的时候，或许这家科技企业会再次给予业界惊喜，证明它在芯片技术研发方面的领先优势，也说明美国的压制无法阻止它前进的脚步。

由于硅基芯片逐渐达到瓶颈，台积电的3纳米工艺就面临良率过低的问题，先进工艺开发难度越来越大，台积电都开始研发类似于芯片堆叠的技术提升芯片性能，全球诸多芯片企业都有开发类似的技术，中国在芯片堆叠技术方面的进展说明中国芯片在这些新技术方面赶上了全球的脚步。